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中兴|提前于小米高管，全面科普屏下摄像头手机中兴Axon 30

中兴|提前于小米高管，全面科普屏下摄像头手机中兴Axon 30
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中兴|提前于小米高管，全面科普屏下摄像头手机中兴Axon 30
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中兴Axon 30如约发布了 ， 想不到它的第二代屏下摄像方案竟然是选择牺牲RGB子像素的开口率 ， 从而来实现与周边区域的同PPI 。 那么什么是像素开口率？传统意义上来讲就是透光的有效面积与整个像素面积之比 。 而对于OLED屏的话 ， 因其自发光原理 ， 那么开口率就是像素发光面积与整个像素面积之比 。


从网上评测的图可以看出 ， 在纯色画面下肉眼观察两个区域显示基本无差别 。 而微观画面下 ， 我们可以发现摄像头区域RGB子像素大小明显小于周边区域 ， 不过子像素排列及密度是保持一致的 。 这样问题就来了 ， 同等电流大小条件下 ， 像素面积大小影响其发光强度 。 从技术层面上来讲 ， 由于两个区域的像素大小不一致 ， 面积小的像素则需要通过增大电流来实现同等亮度的需求 ， 而隐患就可能出在这里!



对于OLED显示器件来说 ， 它一直有两个通病 。 其一 ， 是TFT的电压阈值漂移问题 ， 这也和显示器的前段的array阵列工艺相关 。 目前比较主流的低温多晶硅LTPS工艺 ， a-Si经过准分子激光(ELA)烧灼熔融形成大分子晶粒 。 正是这个单晶硅晶化成多晶硅的过程 ， 由于晶粒形成的均一性很难保证 ， 直接影响TFT沟道的电学特性 。 现有手段大都是做补偿电路来降低特性偏移的影响 ， 今天这里不考虑此因素 。

【中兴|提前于小米高管，全面科普屏下摄像头手机中兴Axon 30】

其二 ， 则是OLED蒸镀材料的老化问题 ， 由于这些有机高分子材料在发光过程会逐渐衰变 。 电流越大 ， 发光效率衰减的程度越快 。 正因如此 ， 前面提过的屏下区域的子像素为了满足发光强度一致性 ， 必然会增大电流进行驱动 ， 因此该区域的子像素材料老化速度必然会有别于正常区域 。 所以在没有补偿方案的情况下 ， 手机用久了 ， 是什么情况你就懂了 。 (除非你告诉我屏幕供应商制作时 ， 两块区域的发光材料不一样 ， 这种可能性从技术层面上来讲玩 ， 几乎为零) 。 简而言之 ， 降低oled屏幕的开口率并不利于像素的寿命 。


至于中兴在这上面是否有对应的技术方案我们不得而知 ， 不过这样牺牲开口率的方案还是比之前第一代牺牲PPI好多了 。 说到这里 ， 很期待今年其他手机品牌的屏下方案 ， 应该更新了很多代了吧 。



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