朗科NV2000固态新品上手:有效提升电脑性能的方式竟如此简单!

前言
为了能在市场上有更大的突破 , 才刚进入下半年 , 存储厂商们便纷纷推出各式各样的M.2 NVMe新品 , 一展肌肉 。 想要性能提升和新鲜体验的小伙伴们 , 是时候可以考虑重启钱包给自家机子来个脱胎换骨了!
最近以“专业严苛测试出名”的闪德测评组也收到了朗科寄来的一款固态新品NV2000 , 但目前这款产品还未真正上市 , 具体的性能情况也无从了解 。 趁这个机会 , 我们替小伙伴们先体验一把 。 到时候小伙伴真遇上这款产品了 , 也能够以较为全面的方式去评价这款NV2000 。
下面我们先来看看NV2000的长啥样吧!
朗科NV2000固态新品上手:有效提升电脑性能的方式竟如此简单!
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刚拿到这款产品的时候 , 我发现这包装对比之前测试产品的包装 , 这次的包装变化有点大 。 首先是红色的图案 , 通过朗科的公众号可以知道 , 这个红色图案实际上是Netac中的“t” , 是朗科的新品牌IP形象 。 其次是可以直接透过包装看到产品的实体 。 这个两个变化给我感受朗科正在向简洁 , 开放的形象在转变 。
再放一张美图 , 让大家看得正面和背面都能看得到 。
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看完外包装 , 我们再来看看决定产品性能的核心部分 。
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撕开外部的贴纸后 , 可以看到焊在PCB板上的闪存芯片和主控芯片 , 我们一一来讲 。
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首先是闪存芯片 , 从朗科这边了解到 , NV2000的闪存芯片用的是国产存储大厂长江存储的3D TLC芯片 。 从之前我们测试过的国产芯片固态来看 , 在严苛的测试环节中 , 长江存储的芯片表现稳扎稳打 。 对此 , 我也很期待NV2000的表现 。
接着看到主控芯片 , 上面的图标长得有点像小螃蟹 , 型号是RTS5765DL 。 这是Realtek 推出的一款支持PCIe3.0*4、4 NAND Flash通道的主流级NVMe主控芯片 , 具有数据安全保护和LDPC纠错支持功能 。
在跟朗科沟通的过程中 , 他们还透露 , NV2000的连续读取速度可以达到2500MB/S , 对此 , 我们就来验证一下吧 。
测试开始
先放出我们的测试平台参数 , 由于这是一台以办公为主的电脑 , 所以参数上看 , 称它为“老电脑”其实也不为过 。 我们今天就用朗科NV2000来改造一下它 , 看看能否可以重回少年 。
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上机分区 , 可用空间为476.94GB 。
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从CDI结果来看 , 固件版本为VC0S0303 , 协议NVM Express1.4 , 传输模式为PCIe3.0*4 , 温度为40℃ , 主机写入量为0GB , 是一块全新的盘 。
这里说个小知识 , 相对比NVM Express1.3 , NVM Express1.4可提供相对独立的访问空间 , 在降低延迟的过程中 , 依旧能保持高效率的SSD性能 , 让SSD读写更加稳定和流畅 。
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CDM
首先我们CDM来测试一下NV2000的连续跑分 , 从下图结果来看 , NV2000连续读取速度最高达到2523.9MB/S , 连续写入速度最高达到1806.7MB/S , 对比之前沟通的2500MB/S , 那是妥妥的了 。
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AS SSD
作为消费级的产品 , 我最关心的还是SSD的4K随机读写性能 。 AS SSD测试软件以512KB的单位尺寸生成1GB大小的测试文件 , 在其地址范围内进行随机4KB单位尺寸进行写入以及读取测试 , 最后计算平均成绩 。

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