AMD|Zen3性能再提升15% AMD研究3D缓存多年：带宽超2TB/s
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今年底AMD很有可能发布增强版的7nm Zen3处理器 ， 为了对付Intel的12代酷睿Alder Lake ， 它将用上3D V-Cache缓存技术 ， 额外增加了128MB缓存 ， 总计192MB 。
该技术今年6月份台北电脑展上首次公布 ， 展示用的是一颗锐龙9 5900X 12核心处理器 ， 原本内部集成两个CCD计算芯片、一个IO输入输出芯片 。
经过改造后 ， 它的每一个计算芯片上都堆叠了64MB SRAM ， 官方称之为“3D V-Cache” ， 可作为额外的三级缓存使用 ， 这样加上处理器原本集成的64MB ， 总的三级缓存容量就达到了192MB 。
AMD在其中应用了直连铜间结合、硅片间TSV通信等技术 ， 实现了这种混合式的缓存设计 。
根据AMD的数据 ， 改进之后 ， 对比标准的锐龙9 5900X处理器 ， 频率都固定在4GHz ， 3D V-Cache缓存加入之后 ， 游戏性能平均提升了多达15％ 。
对于该技术 ， Techinsights的研究员Yuzo Fukuzaki日前公布了更多细节 ， 称AMD已经研究该技术多年 ， 使用了TSV硅通孔技术将额外的128MB缓存集成到芯片上 ， 面积6x6mm ， 带宽超过2TB/s 。
他在文章中指出 ， 为了应对memory_wall问题 ， 缓存内存的设计很重要 ， 这是缓存密度在工艺节点上的趋势 ， 逻辑上的3D内存集成可以有助于获得更高的性能 。
随着AMD开始实现Chiplet CPU整合 ， 他们可以使用KGD（Known Good Die）来摆脱模具的低产量问题 。 在IRDS（International Roadmap Devices and Systems）中 ， 这一创新预计将在2022年实现 。
TechInsights以反向方式深入研究了3d V-Cache的连接方式 ， 并提供了以下发现的结果：
【AMD|Zen3性能再提升15% AMD研究3D缓存多年：带宽超2TB/s】TSV间距：17μm
KOZ尺寸：6.2 x 5.3μm
TSV数量：粗略估计大约23000个
TSV工艺位置：在M10-M11之间（共15种金属 ， 从M0开始）
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