VR|好消息！中国又一半导体技术实现零的突破，打破美韩两国垄断
【VR|好消息！中国又一半导体技术实现零的突破，打破美韩两国垄断】
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如今随着科技水平的不断发展 ， 半导体领域的技术得到了越来越多国家的重视 ， 不过需要知道的是 ， 美国等少数国家在这方面始终占据着相当明显的优势 ， 在这其中美国作为综合实力最为强大的一个国家 ， 在多项技术方面都有着领先地位 。 但是 ， 经过这些年的发展之后 ， 现如今中国的整体水平已经有了相当显著的提升 ， 和以往相比可以说是天翻地覆 。
打破美韩两国垄断根据人民网的消息显示 ， 在报道当天 ， 上海市以及浦东新区等政府部门 ， 国际半导体协会等行业组织都参与了一项发布会 。 在此次发布会上 ， 我国上海自贸区的中天弘宇公司公布了一项国际首创的先进存储技术 ， 而这样的技术也是由这家公司自主研发完成的 。 根据介绍来看 ， 这项技术创造性地重构了闪存的存储 ， 所依据的是“二次电子倍增注入浮栅”这一物理现象 。
需要知道的是 ， 这种新型高性能快闪存储器本身的技术含量 ， 放眼全球也是相当领先的 ， 在这一发明成果公布的时候 ， 已经在中国、美国以及日、韩分别申请了原创性发明专利 ， 并且其中的多项核心专利已经获得批准 ， 整个专利体系化建设也在不断完善 。
事实上 ， 在很长一段时间里 ， 美国和韩国在全球NAND闪存芯片市场都占据了相当明显的优势 ， 而今年一季度美、韩两国所占据的市场份额更是达到97% 。 而如今随着我国企业在半导体方面不断地发展 ， 也意味着中国的科技水平在进一步提升 。
中国取得重大突破需要知道的是 ， 在视频致辞的过程当中 ， 我国工程院院士倪光南强调 ， 该技术是一项重大发明 ， 实现了中国存储器底层技术零的突破 ， 希望企业与集成电路行业企业一起发奋努力 ， 设计创新更多自主原创的产品 ， 提高自主原创存储器的市场份额 。
而中天弘宇对此也强调 ， 此后将会继续运用集成电路全行业专家的智慧成果 ， 让存储技术的运用范围得到进一步的扩展 ， 让存储器系列产品能够继续扩大 。 尽管此前美国为了保证自身的利益 ， 不断地针对中国采取行动 ， 但中国如今接连传来的好消息 ， 无疑向外界证明了中国在科技领域的迅速发展 。
部分信息参考来源：全国党媒信息公共平台
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