芯片|长鑫存储撕开美韩技术壁垒，实现国产从0到3的突破 dram|sk海力士

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手机，电脑等设备都会用上非常多的芯片。除了核心的CPU ， GPU之外，存储芯片也是不可或缺的。顶级的存储芯片有更好的性能表现，但一直以来存储芯片市场都被国外垄断。
然而国产巨头长鑫存储撕开了美韩技术壁垒，实现重大突破。在全球存储芯片发展历程中，长鑫存储为何能撕开国外技术壁垒？国产存储芯片该如何发展呢？
长鑫存储打破技术垄断存储芯片有庞大的市场，是手机、电脑、平板等电子产品背后重要的产业链。以韩国和美国为首，其中韩国的三星， SK海力士分别占据40%和30%的市场份额，再加上美国美光也持有22.5%的市场份额比例。
这三大美韩巨头牢牢占据市场优势，长期垄断存储芯片。
【芯片|长鑫存储撕开美韩技术壁垒，实现国产从0到3的突破】DRAM存储芯片产值不断上涨，截至2021年第二季度，全球DRAM总产值已经达到了241亿美元，季增26% 。全球缺芯的背景下，也让三星、SK海力士、美光大赚特赚，营收分别处在世界前三。
韩国的存储芯片市场一直是世界领先的，美国在存储芯片产业也有很高的技术优势。而且三星， SK海力士正在摆脱对国外的材料，设备依赖。
以光刻胶为例，三星正准备使用韩国光刻胶厂商的产品，后续可用于14nm制程的DRAM存储芯片制造。 SK海力士还会采用EUV技术生产10nm的DRAM存储芯片产品。
国外的巨头都在加大布局，但其实我国存储芯片巨头长鑫存储也一直在努力，而且成功打破垄断，撕开了美韩三巨头的技术壁垒。
作为国产存储芯片的代表，长鑫存储也在积极参与DRAM产业的布局。去年12英寸晶圆制造厂将月产能提升至每月4万片，并且再次启动每月6万片产能的建设目标。
不仅如此，长鑫存储还在加大建设力度，按照发展规划，今年底预计会建成第三期的DRAM生产项目，产能最高可提升至每月36万片。
产能方面有很大的提升，但同时在技术方面长鑫存储也没有落下脚步。在2019年时，长鑫存储成功实现国产19nm的DDR4、LPDDR4存储芯片量产，成为全球第四家掌握20nm以下的DRAM生产制造商。
另外在市场份额方面， DRAM也实现了国产从0到3的突破，年出货量占全球份额的2.9% 。相比美韩三巨头，这是非常小的份额。
但是根据市场预计，我国到2022年，国产存储芯片在全球市场份额中不超过5% 。而长鑫存储一家公司就占比全球的2.9% 。这不仅体现出美韩三巨头的垄断地位有多么强大，也能看出长鑫存储打破垄断有多么不容易。
长鑫存储为何能撕开国外技术壁垒？从0到3的突破意味着长鑫存储有了进一步扩展国际市场的机会，有了这样的进步以后，相信在未来还能取得更大的突破，逐步从美韩三巨头手中抢夺更多的市场份额。