固态硬盘|数字存储完全指南——固态硬盘的历史、结构与原理( 六 )

施加电压和检测电压 , 以读取中间储存结构的电荷量 , 所以我们叫它们 N+ 源(左边 , 检测电压时电子从这边流入)和 N+ 漏(右边如果导通 , 电子从这边漏走到检测电路) , 由于它俩是对称的 , 所以源和漏极可以互换 。


中间则是利用特殊工艺制作的储存结构 , 在硅底座上面「生长」出一块完全绝缘的二氧化硅 , 然后通过另一种特殊工艺在中间生成可以储存电荷的材料 , 比如多晶硅或者其它金属 。 然后在整个结构的顶上再加一层铜做的控制级(用来加写入电压) 。

顶上这层就叫做控制栅 , 而储存电荷的材料就叫做栅 。 之所以叫浮栅 , 因为它是整个被二氧化硅包裹的 , 像是浮在水里面一样 , 如果有电子跑进了浮栅 , 在不施加高电压的情况下 , 由于周围都是绝缘材料 , 它是跑不了的 , 所以电子在里面能够保存数十年 。 顺便一讲运行内存 RAM 这些断电就没数据的颗粒 , 结构也和这个类似 , 就是少了中间的浮栅而已 , 至于为什么不弄我们放到其它储存设备那部分讲 。
【固态硬盘|数字存储完全指南——固态硬盘的历史、结构与原理】看到这里你已经把机械硬盘 , 结构原理相关的内容都学得差不多了 , 实际上固态硬盘的结构原理部分涉及到的知识 , 甚至比我介绍要复杂得多 。

相关经验推荐