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最近发现IBM和三星在芯片设计领域又有了新的突破 ， IBM 和三星在半导体设计上再取得新进展！据这两家公司称 ， 他们研发出了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计 。 而在之前的设计中 ， 晶体管是被平放在半导体表面上的 。
这种新的设计方案可以有效提升性能接近2倍 ， 并且能够降低85%的能耗 。 摩尔定律吃紧的情况下 ， 全球半导体产业都买加紧另辟蹊径的研发 ， 而三星 ， IBM ， 英特尔 ， 中芯国际 ， 台积电等半导体大厂纷纷亮出自己的最新研究成果 ， 从芯片叠加到晶体管重新设计 ， 都在表明这是一个未来的新趋势 ， 现阶段芯片部分的突破虽然还无法作用在手机产品端 ， 但是随着工艺和设计上的突破 ， 叠加技术未来也不是不可能进入手机等终端产品 。
半导体行业近几年推出的叠加技术 ， 从封装 ， 到异构设计 ， 到晶体管排列 ， 都是在做全新的尝试 ， 芯片叠加技术并非新技术 ， 而是一个老技术 ， 但是随着时间的推移老技术新玩法就会越来越多 。 最后各个大厂比拼的就是谁的设计更牛 ， 谁的叠加技术更有效 。
IBM和三星公布的这个半导体芯片设计 ， 自称这种设计可以延续摩尔定律 。 这一突破性的架构将允许垂直电流流动的晶体管嵌入到芯片上 ， 从而产生更紧凑的设备 ， 并为智能手机长周期运行等铺平了道路 。
【芯片设计|芯片设计晶体管垂直叠加技术？似曾相识吗？】
新的垂直传输场效应晶体管（VTFET）设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术 ， 从本质上讲 ， 新设计将垂直堆叠晶体管 ， 允许电流在晶体管堆叠中上下流动 ， 而不是目前大多数芯片上使用的左右水平布局 。
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