光刻机|俄罗斯投资6.7亿卢布,开发新型的光刻机,性能或将超越EUV光刻机

光刻机|俄罗斯投资6.7亿卢布,开发新型的光刻机,性能或将超越EUV光刻机

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光刻机|俄罗斯投资6.7亿卢布,开发新型的光刻机,性能或将超越EUV光刻机

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上一篇文章 , 我们说了 , 佳能在开发3D光刻机 , 可以说在叠加芯片方向上 , 又走出了坚实的一步 。 那么为什么佳能要朝这个方向努力?只能说ASML在EUV光刻机方面 , 垄断能力太强了 , 其他人很难追赶得上 , 所以只能另辟蹊径 , 例如通过3D光刻机制造横向纵向叠加的芯片 , 以此来达到更好的性能 。
俄乌冲突之后 , 欧美西方国家全方面制裁俄罗斯 , 在半导体领域自然也是如此 , 俄罗斯最大的半导体厂商米克朗也被美国制裁 。
据悉 , 米克朗出口了俄罗斯微电子产品的 50%以上 , 它的前身为成立于1964年3月前苏联时期的分子电子研究所 。 在上世纪七十年代 , 米克朗是苏联第一个开发和制造大规模集成电路的公司 。

2006年 , 米克朗获得了欧洲半导体巨头意法半导体的技术转让 , 从此具备生产0.18μm芯片的能力 , 后来又在此基础上 , 于2008年和2009年分别实现130nm和90nm工艺 , 到了2016年 , 实现了65nm 。 目前 , 米克朗也是唯一一家能量产65nm制程的俄罗斯本土企业 。
其实 , 俄罗斯的芯片采购量很低 , 还不到全球总量的1% , 但也没能摆脱美国的霸权打击 。所以 , 俄罗斯决心开始开发光刻机 。
近日 , 俄罗斯宣布将投资6.7亿卢布 , 折合成人民币约5100万元 , 开发新一代的光刻机 , 并且俄罗斯莫斯科电子技术学院已经承接了该项任务 。
俄罗斯媒体报道称:俄罗斯将研发当前全球最先进的X射线光刻机 , 或比ASML的EUV光刻机性能更先进 。

看到这个消息 , 很多人会有2个疑问 。 一是这个钱够吗?才5100万 。 二是真的能超过EUV光刻机吗?甚至觉得这个消息有点扯 。
大家也别着急 。
【光刻机|俄罗斯投资6.7亿卢布,开发新型的光刻机,性能或将超越EUV光刻机】首先在钱的问题上 , 这次的6.7亿卢布是首批资金 , 后面应该还会有投入 。 至于花多少钱办多少事儿 , 或许一家一个样吧 , 暂时也不好评论 。 另外 , 如果钱实在不够 , 俄罗斯也可以多卖点石油天然气 , 还可以涨点价再卖 , 反制这2个东西有的是 。
其次 , 俄罗斯研发的光刻机 , 只是计划达到EUV级别 , 并非EUV光刻机 , 二者的技术原理完全不同 , 所有美国和ASML没法限制 。
另外俄罗斯的X射线光刻机是基于同步加速器或等离子体源的无掩模X射线光刻机 , 甚至在某些地方 , 要比EUV光刻机好 。
目前 , 俄罗斯莫斯科电子技术学院与其他科研机构以及科学家团队 , 在无掩模光刻领域方面取得了进展 。 同时 , 还有泽列诺格勒的同步加速器 , 以及先进的离子源 , 所以俄罗斯媒体也很有信心地公开表示 , 这种光刻机将实现28nm、16nm及以下的工艺制程 。
那么X射线能用来光刻吗?
其实这种技术很早就有了 , 不论是美国、欧洲还是我国 , 都研制过X射线光刻机 , 但因为效率差 , 一般只适合特定场景的芯片制造 , 不适合量产场景 , 所以X射线光刻机一直没能取得大范围的推广和应用 。
X射线大家肯定不陌生 , 在医院里很常见 , 很难想象它能应用到光刻机领域 。 但很多人可能没想到 , X射线的波长比EUV极紫外光还要短 。

X射线光刻机使用的是X射线 , 其波长介于0.01nm到10nm之间 , 而EUV光刻机使用的是极紫外光波长为13.5nm , 可以用于制造7nm及以下的芯片 , 所以单纯看数据 , X射线光刻机是可以达到EUV光刻机的工艺水平的 。

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