5G|深度分析: 帮你寻找5G毫米波天线的最优技术选择

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5G|深度分析: 帮你寻找5G毫米波天线的最优技术选择

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业界普遍认为 , 混合波束赋形将是工作在微波和毫米波频率的5G系统的首选架构 。 这种架构综合运用数字 (MIMO) 和模拟波束赋形来克服高路径损耗并提高频谱效率 。如图1所示 , m个数据流的组合分割到n条RF路径上以形成自由空间中的波束 , 故天线元件总数为乘积m × n 。 数字流可通过多种方式组合 , 既可利用高层MIMO将所有能量导向单个用户 , 也可以利用多用户MIMO支持多个用户 。

图1. 混合波束赋形框图
接下来我们将考察一个简单的大规模天线阵列示例 , 借以探讨毫米波无线电的最优技术选择 。 现在深入查看毫米波系统无线电部分的框图 , 可以看到一个经典超外差结构完成微波信号到数字信号的变换 , 然后连接到多路射频信号处理路径 , 这里主要是运用微波移相器和衰减器来实现波束赋形 。
【5G|深度分析: 帮你寻找5G毫米波天线的最优技术选择】传统上 , 毫米波系统是利用分立器件构建 , 导致其尺寸较大且成本较高 。 这样的系统里面的器件使用CMOS、SiGe BiCMOS和 GaAs等技术 , 使每个器件都能得到较优的性能 。 例如 , 数据转换器现在采用CMOS工艺开发 , 使采样速率达到GHz范围 。 上下变频和波束赋形功能可以在SiGe BiCMOS中有效实现 。 根据系统指标要求 , 可能需要基于GaAs功率放大器和低噪声放大器 , 但如果 SiGe BiCMOS能够满足要求 , 利用它将能实现较高的集成度 。
对于5G毫米波系统 , 业界希望将微波器件安装在天线基板背面 , 这要求微波芯片的集成度必须大大提高 。 例如 , 中心频率为 28 GHz的天线的半波阵子间距约为5 mm 。 频率越高 , 此间距越小 , 芯片或封装尺寸因而成为重要考虑因素 。 理想情况下 , 单波 束的整个框图都应当集成到单个IC中;实际情形中 , 至少应将上下变频器和RF前端集成到单个RFIC中 。 集成度和工艺选择在某种程度上是由应用决定的 , 在下面的示例分析中我们将体会到这一点 。
一个示例 , 分析分析
分析『天线中心频率为28 GHz , EIRP为60 dBm』 , 使用如下假设条件:
⊙ 天线阵子增益 = 6 dBi(瞄准线)
⊙ 波形PAPR = 10 dB(采用QAM的OFDM)
⊙ P1dB时的功率放大器PAE = 30%
⊙ 发射/接收开关损耗 = 2 dB
⊙ 发射/接收占空比 = 70%/30%
⊙ 数据流 = 8
⊙ 各电路模块的功耗基于现有技术 。
该模型以8个数据流为基础来构建 , 连接到不同数量的RF链 。 模型中的天线数量以8的倍数扩大 , 最多512个元件 。
图2显示了功率放大器线性度随着天线增益提高而变化的情况 。 注意:由于开关损耗 , 放大器的输出功率要比提供给天线的功率高2 dB 。 当给天线增加元件时 , 方向性增益随着X轴对数值提高而线性提高 , 因此 , 各放大器的功耗要求降低 。

图2. 天线增益与功率放大器输出水平要求的关系
为了便于说明 , 我们在曲线上叠加了技术图 , 指示哪种技术对不同范围的天线元件数量最佳 。 注意:不同技术之间存在重叠 , 这是因为每种技术都有一个适用的值范围 。 另外 , 根据工艺和电路设计实践 , 具体技术可以实现的性能也有一个范围 。 元件非常少时 , 各链需要高功率PA(GaN和GaAs) , 但当元件数量超过200时 ,P1dB降到20 dBm以下 , 处于硅工艺可以满足的范围 。 当元件数量超过500时 , PA性能处于当前CMOS技术就能实现的范围 。

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